职位概述

1.熟练掌握Ⅲ-Ⅴ族半导体DFB/EML/VCSEL和高速PD芯片的原理、设计、工艺流程,有成功的10G 及以上速率高速芯片开发经验者优先; 2.具备半导体激光器基本知识,能够熟练使用CAD 或类似软件设计光刻掩模板(mask); 3.能够通过仿真软件对设计进行仿真分析,熟悉光刻、刻蚀、镀膜、溅射等各种光芯片工艺。

其他要求

  • 光电、集成电路、半导体、微电子、物理、化学等相关专业。 30-60W/年,提供六险一金、宿舍、餐补、带薪年假、省外路程假、过节福利、年度体检、人才培养体系。

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